著錄信息
- 專(zhuān)利名稱(chēng)：一種基于復(fù)合犧牲層的紅外探測(cè)器制作方法
- 專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201110065880.7
- 公開(kāi)(公告)號(hào)：CN102683474B
- 申請(qǐng)日：20110318
- 公開(kāi)(公告)日：20141105
- 申請(qǐng)人：浙江大立科技股份有限公司
- 發(fā)明人：姜利軍,池積光,錢(qián)良山,羅雯雯
- 申請(qǐng)人地址：310053 浙江省杭州市杭州國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)濱康路639號(hào)(高新區(qū))
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN330108
- 專(zhuān)利權(quán)人：浙江大立科技股份有限公司
- 洛迦諾分類(lèi)：無(wú)
- IPC：H01L31/18
- 優(yōu)先權(quán)：無(wú)
- 專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu)：浙江杭州金通專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33100
- 代理人：趙芳;徐關(guān)壽
- 審查員：龔雪薇
- 國(guó)際申請(qǐng)：無(wú)
- 國(guó)際公開(kāi)(公告)：無(wú)
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無(wú)
- 分案申請(qǐng)：無(wú)
關(guān)鍵詞
犧牲層,圖形化,紅外探測(cè)器,聚酰亞胺,敏感層,電極層圖形,金屬電極,微橋結(jié)構(gòu),揮發(fā)性,保護(hù)層,硅襯底,接觸孔,結(jié)構(gòu)層,金屬層,粘附性,晶硅,通孔,平坦,復(fù)合,金屬
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