著錄信息
- 專利名稱：一種基于臨時(shí)釋放保護(hù)層的紅外探測(cè)器制作方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201110066271.3
- 公開(公告)號(hào)：CN102683475B
- 申請(qǐng)日：20110318
- 公開(公告)日：20150527
- 申請(qǐng)人：浙江大立科技股份有限公司
- 發(fā)明人：姜利軍,池積光,錢良山,王景道,黃河
- 申請(qǐng)人地址：310053 浙江省杭州市杭州國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)濱康路639號(hào)(高新區(qū))
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN330108
- 專利權(quán)人：浙江大立科技股份有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L31/18
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
- 代理人：趙芳;徐關(guān)壽
- 審查員：張躍
- 國際申請(qǐng)：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請(qǐng)：無
關(guān)鍵詞
保護(hù)層,犧牲層,紅外探測(cè)器,敏感層,圖形化,晶硅,微電子機(jī)械系統(tǒng),等離子體,電極層圖形,工藝難度,金屬電極,聚酰亞胺,微橋結(jié)構(gòu),硅襯底,金屬層,微加工,探測(cè)器,微橋,制冷
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