著錄信息
- 專利名稱：含鈦中高溫太陽能吸收涂層的制備方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201210530623.0
- 公開(公告)號：CN103866233B
- 申請日：20121210
- 公開(公告)日：20160316
- 申請人：北京市太陽能研究所集團有限公司
- 發(fā)明人：王軒,張敏,尹萬里,孫守建,朱敦智
- 申請人地址：100012 北京市朝陽區(qū)北苑路大羊坊10號桑普大廈
- 申請人區(qū)域代碼：CN110105
- 專利權人：北京市太陽能研究所集團有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：C23C14/14,C23C14/34,F24J2/48
- 優(yōu)先權：無
- 專利代理機構：北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 11002
- 代理人：韓國勝
- 審查員：馮冰
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關鍵詞
制備,吸收層,中高溫太陽能,氮氣,紅外反射層,濺射氣體,吸收涂層,靶材,光學減反射層,金屬,簡化,節(jié)省,陽極,氬氣,磁控濺射,氮氣流量,反應氣體,混合氣體,濺射電流,來回切換,生產(chǎn)時間,氧化反應,制備方法,靶中毒,鈦原料,純鈦,減小,鋁膜,一層,一種,生產(chǎn)工藝,氧氣,消失,風險,減少,選擇,保持
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