一、場效應(yīng)晶體管有什么特點(diǎn)
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型,結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET),那么場效應(yīng)晶體管有什么特點(diǎn)呢?
1、場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流)。
2、場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
3、它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好。
4、它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)。
5、場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。
6、由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
二、場效應(yīng)晶體管工作原理是什么
在場效應(yīng)晶體管中,柵極和源極之間的電壓可以控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極電壓為零時(shí),漏極和源極之間的電流是最大的,這種狀態(tài)被稱為飽和狀態(tài)。當(dāng)柵極電壓增加時(shí),漏極和源極之間的電流會(huì)減小,這種狀態(tài)被稱為截止?fàn)顟B(tài)。
場效應(yīng)晶體管是一種非常重要的半導(dǎo)體器件,它的工作原理是利用柵極電場的作用來控制源極和漏極之間的電流,可以用一個(gè)簡單的模型來解釋。假設(shè)柵極和源極之間的電壓為零,漏極和源極之間的電流為I0。當(dāng)柵極電壓為Vg時(shí),柵極和源極之間的電場會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電勢(shì)差,這個(gè)電勢(shì)差可以用公式Vg=Ed/d來計(jì)算,其中Ed是電場強(qiáng)度,d是柵極和源極之間的距離。這個(gè)電勢(shì)差會(huì)影響漏極和源極之間的電流,使得電流減小到I0*(1-Vg/Vp),其中Vp是場效應(yīng)晶體管的特定電壓。