一、場效應(yīng)晶體管有什么特點(diǎn)

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型，結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應(yīng)晶體管有什么特點(diǎn)呢？

1、場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）。

2、場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

3、它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。

4、它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)。

5、場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。

6、由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

二、場效應(yīng)晶體管工作原理是什么

在場效應(yīng)晶體管中，柵極和源極之間的電壓可以控制漏極和源極之間的電流。當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，漏極和源極之間的電流是最大的，這種狀態(tài)被稱為飽和狀態(tài)。當(dāng)柵極電壓增加時(shí)，漏極和源極之間的電流會(huì)減小，這種狀態(tài)被稱為截止?fàn)顟B(tài)。

場效應(yīng)晶體管是一種非常重要的半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用柵極電場的作用來控制源極和漏極之間的電流，可以用一個(gè)簡單的模型來解釋。假設(shè)柵極和源極之間的電壓為零，漏極和源極之間的電流為I0。當(dāng)柵極電壓為Vg時(shí)，柵極和源極之間的電場會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電勢(shì)差，這個(gè)電勢(shì)差可以用公式Vg=Ed/d來計(jì)算，其中Ed是電場強(qiáng)度，d是柵極和源極之間的距離。這個(gè)電勢(shì)差會(huì)影響漏極和源極之間的電流，使得電流減小到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是場效應(yīng)晶體管的特定電壓。